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반도체 패키지 반도체 패키지정의와 특징0에서 3차 레벨 패키지가 있다(일반적인 반도체 패키지는 칩을 자르고 단품화하는 공정을 의미)0차 레벨 패키지 : 웨이퍼에서 칩을 잘라내는 과정 1차 레벨 패키지 : 칩을 단품화 2차 레벨 패키지 : 단품을 모듈 또는 카드에 실장 3차 레벨 패키지 : 단품과 모듈이 실장된 카드를 시스템 보드에 장착  패키지 역할반도체 패키지는 기계적 보호, 전기적 연결, 기계적 연결, 열 방출의 역할을 한다기계적 보호반도체 칩/소자를 EMC(패키지 재료)로 감싸서 기계적 화학적 외부 충격으로부터 보호한다전기적 연결 : 칩과 시스템을 연결하여 칩에 전원 공급, 신호 입출력 통로 제공기계적 연결 : 칩이 시스템에 붙어있어야 함열 방출 : 반도체 동작을 위해 전류가 흐르면 저항에 따라 열이 발생하므로 .. 2024. 11. 17.
반도체 테스트 공정 반도체 테스트정의와 특징테스트 목적 : 불량 제품 출하 방지가 가장 크다 / 개발이나 양산 중인 제품의 결함 피드백 및 개선 등웨이퍼 칩이 반복 배열되어 있고 격자 하나하나가 칩이다 전공정 : 웨이퍼 제조 및 회로 새기는 공정 후공정 : 칩 패키징 테스트 대상 형태에 따른 분류 : 웨이퍼 테스트 / 패키지 테스트테스트 순서 : 웨이퍼 테스트 -> 패키지 공정 -> 패키지 테스트 테스트 항목에 따른 분류 : 온도별 테스트 / 속도별  테스트 / 동작별  테스트전기적 파라미터의 중요한 변수 : 드레인 전류기술 고도화 및 미세화로 소스에서 드레인 단자 사이를 지나가는 전자의 이동 통로인 채널 단면적이 좁아짐채널 단면적으로 드레인 전류가 줄어 스펙 한계값 축소가 필요함테스트 항목에 따른 분류온도별 테스트 :.. 2024. 11. 17.
금속배선 공정 금속배선 공정정의와 특징웨이퍼 위 트랜지스터들이 연결되어 동작할 수 있도록 하는 공정(반도체에 목적을 부여하는 공정)산화 / 포토 / 엣치 / 증착 등의 공정을 통해 반도체 소자들이 웨이퍼 표면에 형성됨웨이퍼 위 트랜지스터들이 동작하도록 소자와 외부 연결, 소자와 소자 연결이 필요하다Contact(도선과 소자 연결), 도선(소자와 소자 사이 전선), 베리어Contact : 도선과 소자 연결순서 : 하부의 소자층을 형성 -> 그 위에 컨택이라는 소자와 금속배선 연결부를 만듦 -> 그 위에 금속 배선을 연결Contact의 필요성미세화로 인해 금속과 소자를 바로 연결하는 것이 불가능하다Al 등의 금속 물질은 타공이 깊은 경우 아무리 증착을 해도 틈이 잘 메워지지 않아 Gap Fill(빈틈을 채우는 특성)을 하.. 2024. 11. 17.
CMP CMP - 연마 공정정의와 특징Chip 제작 과정에서 단차로 인한 불량 이슈를 줄이기 위한 평탄화 공정화학적/기계적 연마(Polishing)로 연마 촉진제를 넣어 연마작업을 수행한다연마를 통해 Global 평탄화, Step Coverage가 향상된다 Global 평탄화 : 전체적인 Step의 높이가 균일화되어 표면 패턴의 불균형이 해소된다모든 종류의 Film에 대해 평탄화가 가능하고 Cu와 같이 쉽게 Etching할 수 없는 물질을 패터닝할 수 있다CMP 장비 구성Platen : 회전이 일어나는 장비Pad : 폴리 우레탄으로 구성된 것으로 Slurry가 사이사이 들어와서 연마를 수행한다Pad Conditioner : Pad를 초기상태로 만들기 위한 장비로 다이아 재질로 되어있다Slurry : 산화막용 연.. 2024. 11. 16.

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