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Cleaning Cleaning 공정정의Cleaning 공정을 통해 Wafer 위의 파티클, 유기오염물 및 금속불순물 등을 웨이퍼 손상 없이 제거종류 : Wet Cleanig / Dry CleaningCleaning 이후 Dry System을 통해 건조 작업 진행Wet CleaningRCA Cleaning : 과산화수소와 물을 근간으로한 Cleaning 공정으로 SC1(가벼운 유기물과 파티클 제거), SC2(Metal ; Cl 포함됨)가 있다Piranha Cleaning : PR과 같은 Heavy 유기물질 제거에 사용한다Nitride Strip : H3PO4로 Si3N4 Strip 하는 공정HF/BHF Process : SiO2이나 BPSG Etch에 사용하고 온도에 영향이 크다 Dry CleaningBrush Scru.. 2024. 11. 16.
Ion Implant & Deposition - 이온 주입 & 증착 공정 Implant이온 주입 공정 : 실리콘에 이온을 주입하여 P/N형 반도체를 만드는 공정산화막이 깎여 노출된 실리콘 웨이퍼에 이온을 주입하여 전기가 흐르는 회로가 새겨진다정의와 특징반도체가 전기적 특성을 갖도록 만드는 과정 => 불순물로 소자의 특성을 결정한다불순물을 이온화시켜 고전압을 이용해서 Wafer에 주입한다 => 큰 에너지로 표면을 뚫어 이온 주입불순물의 양을 조절할 수 있고 침투 깊이를 조절할 수 있다(에너지로 깊이 조절 가능)균일성이 우수하며 저온 공정이 가능하다공정 특성Dose : 단위 면적당 주입되는 이온 갯수Energy : 전압 세기를 의미하고 세기에 따라 이온 주입 깊이가 달라진다Beam Current : 단위 시간당 주입되는 불순물의 양공정 순서불순물 이온화 -> 필요한 Ion만 추출.. 2024. 11. 16.
Furnace - 산화 / 확산 공정 Furnace 공정정의반도체 기초 공정으로 절연막 생성 및 불순물 억제산화막 : 부도체로 웨이퍼의 회로 사이 누설 전류 차단 및 보호막 역할을 수행한다Oxidation(웨이퍼에 산화막 형성으로 절연막 구성) + Diffusion(이온 주입된 불순물 및 Film 확산)산화 공정 -> 확산공정 -> LP-CVDOxidation - 산화막 생성 공정실리콘 웨이퍼 표면을 산소 및 수증기와 반응을 통해 실리콘 산화막을 형성한다 => 실리콘 웨이퍼 위에 보호막 씌우기고순도 실리콘 산화막은 절연 및 유전막 역할을 수행한다 => 다른 물질의 진입을 차단함증착과 차이점 : 산화는 웨이퍼 물질의 일부를 사용하고 산화 공정에서 웨이퍼를 이루고 있는 실리콘 원자가 상당량 소모된다는 점이 증착과 차이점이다열산화 종류 : Dry.. 2024. 11. 14.
Etch - 식각 공정 Etch 공정정의패턴이 없는 부분을 제거하는 공정(포토 공정에 따라 감광액 없는 부분의 산화막을 깍아낸다)식각 -> Ashing(PR 제거)종류Wet EtchDry EtchChemical Etch : 라디칼에 의한 식각(등방성)Physical Etch : 이온의 웨이퍼 충돌(이방성) => 물리적 손상이 있고 선택비가 낮다Reactive Etch : Chemical + PhysicalWet Etch장점 : 하부막질의 손상이 적다, Polymer 오염이 적다단점 : 미세패턴 조절이 어렵다, Etching 시간 조절이 어렵다특징박막 성질에 따라 화학약품을 사용하여 웨이퍼를 화학약품이 들어있는 Bath에 넣는다Wet Etch는 등방성 식각(Isotropic)으로 미세 패턴 공정에 적합하지 않다 => 세정(Cle.. 2024. 11. 13.

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