Plasma1 Etch - 식각 공정 Etch 공정정의패턴이 없는 부분을 제거하는 공정(포토 공정에 따라 감광액 없는 부분의 산화막을 깍아낸다)식각 -> Ashing(PR 제거)종류Wet EtchDry EtchChemical Etch : 라디칼에 의한 식각(등방성)Physical Etch : 이온의 웨이퍼 충돌(이방성) => 물리적 손상이 있고 선택비가 낮다Reactive Etch : Chemical + PhysicalWet Etch장점 : 하부막질의 손상이 적다, Polymer 오염이 적다단점 : 미세패턴 조절이 어렵다, Etching 시간 조절이 어렵다특징박막 성질에 따라 화학약품을 사용하여 웨이퍼를 화학약품이 들어있는 Bath에 넣는다Wet Etch는 등방성 식각(Isotropic)으로 미세 패턴 공정에 적합하지 않다 => 세정(Cle.. 2024. 11. 13. 이전 1 다음