반도체14 [전문가 인사이트] D램과 낸드플래시의 동향과 전망 - D램편 (1/2) AI(인공지능)의 활용이 확대되면서 데이터센터를 비롯해 AI 서버 등에서는 차세대 메모리 제품 수요가 늘어나고 있다. 차세대 메모리 제품은 고용량, 고속 연산, 고성능, 저전력의 특성이 있으며, SK하이닉스를 비롯한 세계적인 메모리 기업들은 역동적이고 혁신적인 차세대 메모리 제품을 개발하며 선의의 경쟁을 펼치고 있다. 특히 SK하이닉스는 D램과 낸드플래시(NAND flash, 이하 낸드) 두 분야에서 최고 수준의 기술 경쟁력을 갖추고 있는데, 이는 지난 2년간 메모리 가격이 내려갔음에도 불구하고 과감한 R&D 투자와 기술개발을 위한 노력이 있었기에 가능한 결과라고 생각한다. 이번 기고문에서는 2편에 걸쳐 D램과 낸드의 기술 동향을 살펴보고 도전적인 과제와 전망도 함께 이야기할 예정이다. D램의 기술 동향.. 2024. 11. 12. [세계 최초 10나노급 6세대 1c DDR5 개발 주역 좌담회] SK하이닉스, D램 1등 기술 리더십으로 새로운 패러다임 연다 SK하이닉스가 극도로 미세화된 D램 공정 기술의 한계를 돌파하며 새로운 이정표를 세웠다. 회사는 지난달 29일 세계 최초로 10나노급 6세대(1c) 미세공정*을 적용한 16Gb(기가비트) DDR5 D램을 개발하는 데 성공했다고 발표했다. SK하이닉스는 “AI용 초고속 D램 HBM에 이어 당사는 10나노 6세대 기술 개발도 가장 먼저 해냄으로써 D램 1등 기술력을 확고히 인정받게 됐다”고 강조했다.더보기* 10나노급 D램 공정 기술은 1x-1y-1z-1a-1b 순으로 개발돼 1c는 6세대뉴스룸은 1c 기술 개발 과정과 함께 SK하이닉스의 혁신 기술 역량과 D램 기술 로드맵에 대해 조명하는 좌담회를 진행했다. 이 자리에는 1c 기술 개발을 주도한 SK하이닉스 오태경 부사장(1c Tech TF), 조주환 부사.. 2024. 11. 12. 이전 1 2 3 4 다음