gap fill2 금속배선 공정 금속배선 공정정의와 특징웨이퍼 위 트랜지스터들이 연결되어 동작할 수 있도록 하는 공정(반도체에 목적을 부여하는 공정)산화 / 포토 / 엣치 / 증착 등의 공정을 통해 반도체 소자들이 웨이퍼 표면에 형성됨웨이퍼 위 트랜지스터들이 동작하도록 소자와 외부 연결, 소자와 소자 연결이 필요하다Contact(도선과 소자 연결), 도선(소자와 소자 사이 전선), 베리어Contact : 도선과 소자 연결순서 : 하부의 소자층을 형성 -> 그 위에 컨택이라는 소자와 금속배선 연결부를 만듦 -> 그 위에 금속 배선을 연결Contact의 필요성미세화로 인해 금속과 소자를 바로 연결하는 것이 불가능하다Al 등의 금속 물질은 타공이 깊은 경우 아무리 증착을 해도 틈이 잘 메워지지 않아 Gap Fill(빈틈을 채우는 특성)을 하.. 2024. 11. 17. Ion Implant & Deposition - 이온 주입 & 증착 공정 Implant이온 주입 공정 : 실리콘에 이온을 주입하여 P/N형 반도체를 만드는 공정산화막이 깎여 노출된 실리콘 웨이퍼에 이온을 주입하여 전기가 흐르는 회로가 새겨진다정의와 특징반도체가 전기적 특성을 갖도록 만드는 과정 => 불순물로 소자의 특성을 결정한다불순물을 이온화시켜 고전압을 이용해서 Wafer에 주입한다 => 큰 에너지로 표면을 뚫어 이온 주입불순물의 양을 조절할 수 있고 침투 깊이를 조절할 수 있다(에너지로 깊이 조절 가능)균일성이 우수하며 저온 공정이 가능하다공정 특성Dose : 단위 면적당 주입되는 이온 갯수Energy : 전압 세기를 의미하고 세기에 따라 이온 주입 깊이가 달라진다Beam Current : 단위 시간당 주입되는 불순물의 양공정 순서불순물 이온화 -> 필요한 Ion만 추출.. 2024. 11. 16. 이전 1 다음
