dopant1 Furnace - 산화 / 확산 공정 Furnace 공정정의반도체 기초 공정으로 절연막 생성 및 불순물 억제산화막 : 부도체로 웨이퍼의 회로 사이 누설 전류 차단 및 보호막 역할을 수행한다Oxidation(웨이퍼에 산화막 형성으로 절연막 구성) + Diffusion(이온 주입된 불순물 및 Film 확산)산화 공정 -> 확산공정 -> LP-CVDOxidation - 산화막 생성 공정실리콘 웨이퍼 표면을 산소 및 수증기와 반응을 통해 실리콘 산화막을 형성한다 => 실리콘 웨이퍼 위에 보호막 씌우기고순도 실리콘 산화막은 절연 및 유전막 역할을 수행한다 => 다른 물질의 진입을 차단함증착과 차이점 : 산화는 웨이퍼 물질의 일부를 사용하고 산화 공정에서 웨이퍼를 이루고 있는 실리콘 원자가 상당량 소모된다는 점이 증착과 차이점이다열산화 종류 : Dry.. 2024. 11. 14. 이전 1 다음
