Contact1 금속배선 공정 금속배선 공정정의와 특징웨이퍼 위 트랜지스터들이 연결되어 동작할 수 있도록 하는 공정(반도체에 목적을 부여하는 공정)산화 / 포토 / 엣치 / 증착 등의 공정을 통해 반도체 소자들이 웨이퍼 표면에 형성됨웨이퍼 위 트랜지스터들이 동작하도록 소자와 외부 연결, 소자와 소자 연결이 필요하다Contact(도선과 소자 연결), 도선(소자와 소자 사이 전선), 베리어Contact : 도선과 소자 연결순서 : 하부의 소자층을 형성 -> 그 위에 컨택이라는 소자와 금속배선 연결부를 만듦 -> 그 위에 금속 배선을 연결Contact의 필요성미세화로 인해 금속과 소자를 바로 연결하는 것이 불가능하다Al 등의 금속 물질은 타공이 깊은 경우 아무리 증착을 해도 틈이 잘 메워지지 않아 Gap Fill(빈틈을 채우는 특성)을 하.. 2024. 11. 17. 이전 1 다음
