Cleaning1 Cleaning Cleaning 공정정의Cleaning 공정을 통해 Wafer 위의 파티클, 유기오염물 및 금속불순물 등을 웨이퍼 손상 없이 제거종류 : Wet Cleanig / Dry CleaningCleaning 이후 Dry System을 통해 건조 작업 진행Wet CleaningRCA Cleaning : 과산화수소와 물을 근간으로한 Cleaning 공정으로 SC1(가벼운 유기물과 파티클 제거), SC2(Metal ; Cl 포함됨)가 있다Piranha Cleaning : PR과 같은 Heavy 유기물질 제거에 사용한다Nitride Strip : H3PO4로 Si3N4 Strip 하는 공정HF/BHF Process : SiO2이나 BPSG Etch에 사용하고 온도에 영향이 크다 Dry CleaningBrush Scru.. 2024. 11. 16. 이전 1 다음