Cleaning

Cleaning 공정

정의

• Cleaning 공정을 통해 Wafer 위의 파티클, 유기오염물 및 금속불순물 등을 웨이퍼 손상 없이 제거
• 종류 : Wet Cleanig / Dry Cleaning
• Cleaning 이후 Dry System을 통해 건조 작업 진행

Wet Cleaning

• RCA Cleaning : 과산화수소와 물을 근간으로한 Cleaning 공정으로 SC1(가벼운 유기물과 파티클 제거), SC2(Metal ; Cl 포함됨)가 있다
• Piranha Cleaning : PR과 같은 Heavy 유기물질 제거에 사용한다
• Nitride Strip : H3PO4로 Si3N4 Strip 하는 공정
• HF/BHF Process : SiO2이나 BPSG Etch에 사용하고 온도에 영향이 크다

 

Dry Cleaning

• Brush Scrubbing
• Aerosol Cleaning
• Laser Cleaning
• O3 Cleaning(오존)

Dry System

• Cleaning 공정 이후 건조 작업을 진행한다
• Dry System 분류 : Spin Dryer, IPA Dryer, Marangoni Dryer
  • Spin Dryer : 저렴하다, Wafer가 깨질 수 있다, 단차로 인해 물반점이 생길 수 있다, 회전 중에 파티클 생성 가능성이 있다
  • IPA Dryer : Wafer가 일정 영역에만 있는 IPA Vapor Zone에서 DIW와 IPA가 치환된다 -> 이후 Cooling Zone에서 Wafer 표면에 있는 IPA가 휘발된다 => 파티클 발생 가능성이 없으며 물반점이 생기지 않는다
  • Marangoni Dryer : 물과 IPA의 표면장력으로 표면을 건조한다